الصين الذاكرة الدائرة المتكاملة الموثوق بها 166 ميغاهرتز الاحتفاظ بالبيانات 2Gb لمعالجة عالية السرعة

الذاكرة الدائرة المتكاملة الموثوق بها 166 ميغاهرتز الاحتفاظ بالبيانات 2Gb لمعالجة عالية السرعة

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Type: Integrated Circuit Storage
الصين الذاكرة الدائرة المتكاملة عالية السرعة لتخزين البيانات في 166 ميغاهرتز للتخزين الفعال

الذاكرة الدائرة المتكاملة عالية السرعة لتخزين البيانات في 166 ميغاهرتز للتخزين الفعال

Data Transfer Rate: 1.8ms
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
الصين ذاكرة دائرة متكاملة موثوقة وفعالة سعة 2 جيجابايت معدل نقل البيانات 1.8ms

ذاكرة دائرة متكاملة موثوقة وفعالة سعة 2 جيجابايت معدل نقل البيانات 1.8ms

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Retention: 166 MHz
الصين ذاكرة دائرة متكاملة دائمة مع الاحتفاظ بالبيانات طويلة الأمد 166 ميغاهرتز

ذاكرة دائرة متكاملة دائمة مع الاحتفاظ بالبيانات طويلة الأمد 166 ميغاهرتز

Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
الصين ذاكرة الدائرة المتكاملة بـ 2 جيجابايت لتخزين البيانات الموثوق بها والمتبسيطة

ذاكرة الدائرة المتكاملة بـ 2 جيجابايت لتخزين البيانات الموثوق بها والمتبسيطة

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
الصين الاحتفاظ بالبيانات 166 ميغاهرتز تتباهى بالذاكرة الدائرة المتكاملة مع التخزين

الاحتفاظ بالبيانات 166 ميغاهرتز تتباهى بالذاكرة الدائرة المتكاملة مع التخزين

Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
الصين ذاكرة الدوائر المتكاملة عالية الأداء مع الاحتفاظ بالبيانات غير المتطايرة 166 MHz

ذاكرة الدوائر المتكاملة عالية الأداء مع الاحتفاظ بالبيانات غير المتطايرة 166 MHz

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Transfer Rate: 1.8ms
الصين ذاكرة الدائرة المتكاملة لتخزين البيانات 166 ميغاهرتز لتحسين الأداء

ذاكرة الدائرة المتكاملة لتخزين البيانات 166 ميغاهرتز لتحسين الأداء

Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
الصين ذاكرة الدوائر المتكاملة عالية الأداء للمهام المطالبة

ذاكرة الدوائر المتكاملة عالية الأداء للمهام المطالبة

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
الصين ذاكرة الدائرة المتكاملة المدمجة مع 1.7V - 2V Voltage 166 MHz احتفاظ بالبيانات

ذاكرة الدائرة المتكاملة المدمجة مع 1.7V - 2V Voltage 166 MHz احتفاظ بالبيانات

Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
Type: Integrated Circuit Storage
1 2 3 4