DS1314E + T & R رقاقة مدمجة CTRL NV W / BATT MON Ic Chips ذاكرة الوصول العشوائي غير المتطايرة

مكان المنشأ	الولايات المتحدة الأمريكية
اسم العلامة التجارية	Analog Devices Inc./Maxim Integrated
إصدار الشهادات	RoHS
رقم الموديل	DS1314E + T & R.
الحد الأدنى لكمية	100
الأسعار	negotiations
تفاصيل التغليف	بكرة الشريط (TR)
وقت التسليم	5-10 يوم عمل
شروط الدفع	تي / ت
القدرة على العرض	2500

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

ويتشات: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

تفاصيل المنتج

نموذج	DS1314E + T & R.	نوع وحدة التحكم	ذاكرة الوصول العشوائي غير المتطايرة
حالة المنتج	نشيط	درجة حرارة التشغيل	0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية
نوع التركيب	سطح جبل	حزمة جهاز المورد	16-SOIC
تسليط الضوء	DS1314E + T & R رقاقة متكاملة , رقاقة مدمجة CTRL NV , رقائق Ic DS1314E + T & R

اترك رسالة

منتوج وصف

DS1314E + T & R IC CTRL NV W / BATT MON 3V 20TSSOP سطح تثبيت RAM غير متطاير

Mfr	شركة الأجهزة التناظرية / مكسيم المتكاملة
مسلسل	-
حالة المنتج	نشيط
نوع وحدة التحكم	ذاكرة الوصول العشوائي غير المتطايرة
الجهد - العرض	3 فولت ~ 3.6 فولت
درجة حرارة التشغيل	-40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية
نوع التركيب	سطح جبل
العبوة / العلبة	20-TSSOP (0.173 بوصة ، عرض 4.40 ملم)
حزمة جهاز المورد	20-TSSOP