جميع المنتجات
DS1312S-2 + T & R IC Controller NV 8-SOIC Surface Mount IC 4.75V ~ 5.5V
| نموذج: | DS1312S-2 + T & R. |
|---|---|
| نوع وحدة التحكم: | ذاكرة الوصول العشوائي غير المتطايرة |
| حالة المنتج: | نشيط |
DS1321E + Crystal IC CTRL NV 5V 20TSSOP تثبيت سطح IC مع ذاكرة الوصول العشوائي غير المتطايرة
| نموذج: | DS1321E + |
|---|---|
| نوع وحدة التحكم: | ذاكرة الوصول العشوائي غير المتطايرة |
| حالة المنتج: | نشيط |
SM662PXF BESS Pol وحدة ذاكرة فلاش IC رقاقة EMMC 100-BGA
| نموذج: | SM662PXF بيس |
|---|---|
| تكنولوجيا: | فلاش - ناند (TLC) |
| حالة المنتج: | نشيط |
AT28C256-15UM Pol Module EEPROM IC Flash Memory متوازي 150 نانوثانية 28-CPGA
| نموذج: | AT28C256-15UM / 883-815 |
|---|---|
| تكنولوجيا: | إيبروم |
| حالة المنتج: | نشيط |
AT28C256-20UM Pol Module 28-CPGA EEPROM Memory IC 256Kb متوازي 200 Ns
| نموذج: | AT28C256-20UM / 883-815 |
|---|---|
| تكنولوجيا: | إيبروم |
| حالة المنتج: | نشيط |
SM662PXF BFSS IC Nand Flash TLC IC Memory EMMC 153-BGA
| نموذج: | SM662PXF BFSS |
|---|---|
| تكنولوجيا: | فلاش - ناند (TLC) |
| حالة المنتج: | نشيط |
AT28C256E-25UM Pol Module 256Kb EEPROM IC Parallel 250 Ns 28-CPGA
| نموذج: | AT28C256E-25UM / 883-815 |
|---|---|
| تكنولوجيا: | إيبروم |
| حالة المنتج: | نشيط |
FEMC512GBE-E530 NAND Memory IC 4 تيرا بايت 200 ميجا هرتز ذاكرة IC غير متطايرة
| نموذج: | FEMC512GBE-E530 |
|---|---|
| تكنولوجيا: | فلاش - ناند (TLC) |
| حالة المنتج: | نشيط |
SM662PXF Pol Module BFST 153-BGA FLASH Memory IC EMMC غير متطاير
| نموذج: | SM662PXF BFST |
|---|---|
| تكنولوجيا: | فلاش - ناند (TLC) |
| حالة المنتج: | نشيط |
SM662GXF BFSS Nand Flash Memory IC TLC EMMC 100-BGA Active
| نموذج: | SM662GXF BFSS |
|---|---|
| تكنولوجيا: | فلاش - NAND (SLC) ، فلاش - NAND (TLC) |
| حالة المنتج: | نشيط |